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| N-Channel Split Gate Trench-MOSFET | |||||||||||
| Part No. | Type | Technology | VDS(Max) | VGS | VTH(Typ) | ID(Max) | IDM | RDS(on) (Typ) | Tj max (°C) | Packaged | Comment |
| HMS320N04 | N | Split Gate | 40V | ±20V | 1.9V | 320A | 960A | 0.5mΩ | 175 | TO-220/263 DFN5*6/TOLL-8L | (N沟道，320A，耐40V，超级沟槽工艺，低开启，低内阻，结电容低，开关损耗低，响应速度快，VTH分档测试) |
| HMS330N06 | N | Split Gate | 60V | ±20V | 3.0V | 330A | 990A | 1.4mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，330A，耐60V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS430N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 430A | 1290A | 0.9mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，430A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS400N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 400A | 1200A | 1.1mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，400A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS310N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 310A | 930A | 1.6mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，310A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS135N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 135A | 405A | 3.3mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，135A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS120N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 120A | 360A | 4.5mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，120A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS100N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 100A | 300A | 5.4mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，100A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS80N85 | N | Split Gate | 85V | ±20V | 3.0V | 80A | 240A | 6.9mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，80A，耐85V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS400N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 400A | 1200A | 0.9mΩ | 150 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，400A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS330N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 330A | 990A | 1.1mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，330A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS260N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 260A | 780A | 2.3mΩ | 150 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，260A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS160N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 160A | 480A | 2.7mΩ | 175 | TO-220/263 | (N沟道，160A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS135N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 135A | 405A | 3.4mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，135A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS120N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 120A | 360A | 4.6mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，120A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS85N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 85A | 255A | 7.0mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，85A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS80N10 | N | Split Gate | 100V | ±20V | 3.0V | 80A | 240A | 7.5mΩ | 175 | TO-220/263 PDFN5*6-8L | (N沟道，80A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS280N12 | N | Split Gate | 120V | ±20V | 3.0V | 280A | 840A | 2.1mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，280A，耐120V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS300N15 | N | Split Gate | 150V | ±20V | 3.1V | 300A | 900A | 2.8mΩ | 175 | TOLL-8L | (N沟道，300A，耐150V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试，MSL1等级) |
| HMS250N15 | N | Split Gate | 150V | ±20V | 3.0V | 250A | 750A | 3.3mΩ | 175 | TOLL-8L | (N沟道，250A，耐150V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试，MSL1等级) |
| HMS230N15 | N | Split Gate | 150V | ±20V | 3.2V | 230A | 690A | 3.5mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，230A，耐150V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS200N15 | N | Split Gate | 150V | ±20V | 3.2V | 200A | 600A | 4.0mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，200A，耐150V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS100N15 | N | Split Gate | 150V | ±20V | 3.0V | 100A | 300A | 6.5mΩ | 175 | TO-220/263 | (N沟道，100A，耐150V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快) |
| HMS150N20 | N | Split Gate | 200V | ±20V | 3.0V | 150A | 450A | 6.6mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，150A，耐200V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS130N20 | N | Split Gate | 200V | ±20V | 3.3V | 130A | 390A | 9.4mΩ | 175 | TO-220/263 TOLL-8L | (N沟道，130A，耐200V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS100N20 | N | Split Gate | 200V | ±20V | 3.0V | 100A | 300A | 9.3mΩ | 175 | TO-220/263 | (N沟道，100A，耐200V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
| HMS80N25 | N | Split Gate | 250V | ±20V | 3.0V | 80A | 240A | 18mΩ | 175 | TO-220/263 | (N沟道，80A，耐250V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快，有VTH分档测试) |
