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N-Channel Split Gate Trench-MOSFET
Part No.TypeTechnologyVDS(Max)VGSVTH(Typ)ID(Max)IDMRDS(on) (Typ)Tj max (°C)PackagedComment
HMS320N04NSplit Gate40V±20V1.9V320A960A0.5mΩ175TO-220/263
DFN5*6/TOLL-8L
(N沟道,320A,耐40V,超级沟槽工艺,低开启,低内阻,结电容低,开关损耗低,响应速度快,VTH分档测试)
HMS330N06NSplit Gate60V±20V3.0V330A990A1.4mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,330A,耐60V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS430N85NSplit Gate85V±20V3.0V430A1290A0.9mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,430A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS400N85NSplit Gate85V±20V3.0V400A1200A1.1mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,400A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS310N85NSplit Gate85V±20V3.0V310A930A1.6mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,310A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS135N85NSplit Gate85V±20V3.0V135A405A3.3mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,135A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS120N85NSplit Gate85V±20V3.0V120A360A4.5mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,120A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS100N85NSplit Gate85V±20V3.0V100A300A5.4mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,100A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS80N85NSplit Gate85V±20V3.0V80A240A6.9mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,80A,耐85V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS400N10NSplit Gate100V±20V3.0V400A1200A0.9mΩ150TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,400A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS330N10NSplit Gate100V±20V3.0V330A990A1.1mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,330A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS260N10NSplit Gate100V±20V3.0V260A780A2.3mΩ150TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,260A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS160N10NSplit Gate100V±20V3.0V160A480A2.7mΩ175TO-220/263(N沟道,160A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS135N10NSplit Gate100V±20V3.0V135A405A3.4mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,135A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS120N10NSplit Gate100V±20V3.0V120A360A4.6mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,120A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS85N10NSplit Gate100V±20V3.0V85A255A7.0mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,85A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS80N10NSplit Gate100V±20V3.0V80A240A7.5mΩ175TO-220/263
PDFN5*6-8L
(N沟道,80A,耐100V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS280N12NSplit Gate120V±20V3.0V280A840A2.1mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,280A,耐120V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS300N15NSplit Gate150V±20V3.1V300A900A2.8mΩ175TOLL-8L(N沟道,300A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试,MSL1等级)
HMS250N15NSplit Gate150V±20V3.0V250A750A3.3mΩ175TOLL-8L(N沟道,250A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试,MSL1等级)
HMS230N15NSplit Gate150V±20V3.2V230A690A3.5mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,230A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS200N15NSplit Gate150V±20V3.2V200A600A4.0mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,200A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS100N15NSplit Gate150V±20V3.0V100A300A6.5mΩ175TO-220/263(N沟道,100A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快)
HMS150N20NSplit Gate200V±20V3.0V150A450A6.6mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,150A,耐200V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS130N20NSplit Gate200V±20V3.3V130A390A9.4mΩ175TO-220/263
TOLL-8L
(N沟道,130A,耐200V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS100N20NSplit Gate200V±20V3.0V100A300A9.3mΩ175TO-220/263(N沟道,100A,耐200V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)
HMS80N25NSplit Gate250V±20V3.0V80A240A18mΩ175TO-220/263(N沟道,80A,耐250V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,有VTH分档测试)